MOSFET Vishay canal P, SOT-23 1,75 A 80 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 165-7181
- Référence fabricant:
- SI2337DS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
18980 En stock pour livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,432 €
HT
0,518 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,432 € | 1 296,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-7181
- Référence fabricant:
- SI2337DS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 1,75 A |
| Tension Drain Source maximum | 80 V |
| Type de boîtier | SOT-23 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 303 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 2,5 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 1.4mm |
| Longueur | 3.04mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Température de fonctionnement minimum | -50 °C |
| Hauteur | 1.02mm |
Nos clients ont également consulté
- MOSFET Vishay canal P, SOT-23 1,75 A 80 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal P, SOT-23 6,1 A 30 V
- MOSFET Vishay canal P, SOT-23 3,5 A 30 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal P, SOT-23 2,2 A 20 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal P, SOT-23 1,2 A 60 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal P, SOT-23 2,3 A 20 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal P, SOT-23 6 A 12 V, 3 broches
- MOSFET Vishay canal P, SOT-23 1.2 A 60 V, 3 broches