- Code commande RS:
- 180-7811
- Référence fabricant:
- SI2392ADS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (par multiple de 20)
0,447 €
HT
0,536 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
20 - 180 | 0,447 € | 8,94 € |
200 - 480 | 0,335 € | 6,70 € |
500 - 980 | 0,29 € | 5,80 € |
1000 - 1980 | 0,268 € | 5,36 € |
2000 + | 0,21 € | 4,20 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 180-7811
- Référence fabricant:
- SI2392ADS-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal N à montage en surface de Vishay est un nouveau produit à âge avec une résistance de drain-source de 126 Mohm à une tension de grille-source de Il est doté d'une tension grille-source maximale de 20 V et d'une tension drain-source de 100 V. Le transistor MOSFET est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 V et 10 V respectivement. Il est doté d'un courant de drain continu de 3,1 A et d'une dissipation de puissance maximale de 2,5 W. Il a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Convertisseurs de boost
• Convertisseurs c.c./c.c.
• rétroéclairage à LED dans les téléviseurs LCD
Commutateur de charge
Gestion de l'alimentation pour l'informatique mobile
• Convertisseurs c.c./c.c.
• rétroéclairage à LED dans les téléviseurs LCD
Commutateur de charge
Gestion de l'alimentation pour l'informatique mobile
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 3,1 A |
Tension Drain Source maximum | 100 V |
Type de boîtier | SOT-23 |
Série | TrenchFET |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 0,189 O |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 3V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |