MOSFET Vishay canal N, SOT-23 3,1 A 100 V, 3 broches

Le transistor MOSFET à canal N à montage en surface de Vishay est un nouveau produit à âge avec une résistance de drain-source de 126 Mohm à une tension de grille-source de Il est doté d'une tension grille-source maximale de 20 V et d'une tension drain-source de 100 V. Le transistor MOSFET est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 4,5 V et 10 V respectivement. Il est doté d'un courant de drain continu de 3,1 A et d'une dissipation de puissance maximale de 2,5 W. Il a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

• Convertisseurs de boost
• Convertisseurs c.c./c.c.
• rétroéclairage à LED dans les téléviseurs LCD
Commutateur de charge
Gestion de l'alimentation pour l'informatique mobile

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU