MOSFET de puissance TrenchFET canal N Vishay 300 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 2N7002K

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Code commande RS:
165-7142
Référence fabricant:
2N7002K-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET de puissance TrenchFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

300mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

2N7002K

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.4nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

0.35W

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.02mm

Longueur

3.04mm

Largeur

1.4mm

Normes/homologations

IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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