MOSFET canal N Vishay 2.5 A 20 V Enrichissement, 4 broches, Micro FOOT TrenchFET
- Code commande RS:
- 735-232
- Référence fabricant:
- SI8916EDB-T6-E1
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
0,20 €
HT
0,24 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 01 juillet 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,20 € |
| 25 - 99 | 0,13 € |
| 100 + | 0,07 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 735-232
- Référence fabricant:
- SI8916EDB-T6-E1
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | Micro FOOT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 75mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.77W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 1.11mm | |
| Largeur | 1.11mm | |
| Hauteur | 0.13mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier Micro FOOT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 75mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.77W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 1.11mm | ||
Largeur 1.11mm | ||
Hauteur 0.13mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Vishay 16 A 12 V Enrichissement Micro FOOT TrenchFET
- MOSFETs simples P Vishay -6.3 A -30 V Mode d'amélioration Micro FOOT TrenchFET
- MOSFET N Vishay 3.5 A 8 V Enrichissement Micro FOOT SI8802DB
- MOSFET P Vishay 4.3 A 20 V Enrichissement Micro FOOT Si8489EDB
- MOSFET N Vishay 16 A 8 V Micro FOOT
- MOSFET N Vishay 2.1 A 20 V Micro FOOT SI8824EDB
- MOSFET P Vishay -2.5 A -30 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET de puissance TrenchFET P Vishay 1.7 A 60 V Enrichissement TO-236 TrenchFET AEC-Q101