MOSFET canal N Vishay 2.5 A 20 V Enrichissement, 4 broches, Micro FOOT TrenchFET

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Code commande RS:
735-232
Référence fabricant:
SI8916EDB-T6-E1
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

Micro FOOT

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

75mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.6nC

Dissipation de puissance maximum Pd

0.77W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

1.11mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Largeur

1.11mm

Hauteur

0.13mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

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