MOSFET N Vishay 2.5 A 20 V Enrichissement, 4 broches, Micro FOOT TrenchFET

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 unité)*

0,40 €

HT

0,48 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 12 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
1 - 240,40 €
25 - 990,26 €
100 +0,13 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
735-232
Référence fabricant:
SI8916EDB-T6-E1
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de canal

Canal N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

Micro FOOT

Série

TrenchFET

Type de montage

Montage en surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

75mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

0.77W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.6nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Hauteur

0.13mm

Longueur

1.11mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Nos clients ont également consulté