MOSFET P Vishay -2.5 A -30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
735-275
Référence fabricant:
SQ2303CES-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Canal P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

-2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

-30V

Type de Boitier

SOT-23

Série

TrenchFET

Type de montage

Montage en surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.37Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4.7nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.9W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

3.04mm

Hauteur

1.12mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
DE

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