MOSFET P Vishay -0.84 A -150 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 735-220
- Référence fabricant:
- SQ2325CES-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 25 de plus pour économiser 31%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
0,32 €
HT
0,38 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 2 995 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 février 2027
- Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 1 - 24 | 0,32 € | - |
| 25 - 99 | 0,22 € | 31% |
| 100 + | 0,12 € | 62% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 735-220
- Référence fabricant:
- SQ2325CES-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Canal P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -0.84A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -150V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.4Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Largeur | 2.64mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Canal P | ||
Courant continu de Drain maximum Id -0.84A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -150V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.4Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Largeur 2.64mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Vishay 4.1 A 40 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay -2.5 A -30 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay 2.2 A 80 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET canal N Vishay 2 A 60 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET canal N Vishay 4.3 A 60 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET canal N Vishay 8 A 40 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET canal N Vishay 2.3 A 60 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET de puissance TrenchFET P Vishay 1.7 A 60 V Enrichissement TO-236 TrenchFET AEC-Q101