MOSFET N Vishay Siliconix 2 A 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 178-3877
- Référence fabricant:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
16,00 €
HT
19,25 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 75 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 mai 2026
- Plus 2 725 unité(s) expédiée(s) à partir du 11 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,64 € | 16,00 € |
| 100 - 475 | 0,453 € | 11,33 € |
| 500 - 975 | 0,377 € | 9,43 € |
| 1000 + | 0,32 € | 8,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-3877
- Référence fabricant:
- SQ2364EES-T1_GE3
- Marque:
- Vishay Siliconix
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 600mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3W | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.02mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série TrenchFET | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 600mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3W | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 3.04mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.02mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS : Exempté
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET à canal N à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 240 mohms à une tension de grille-source de 4,5 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 3 W et d'un courant de drain continu de 2 A. Il est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 1,5 et 4,5 V. Il est utilisé dans les applications automobiles. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Certifications
AEC-Q101
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Vishay Siliconix 2 A 60 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 2.3 A 60 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 8 A 40 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay 4.3 A 60 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay Siliconix 75 A 40 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET N Vishay Siliconix 24.5 A 150 V Enrichissement SO-8 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay -0.84 A -150 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101
- MOSFET P Vishay -2.5 A -30 V Enrichissement SOT-23 TrenchFET AEC-Q101