MOSFET canal Canal N, Canal P Vishay 4.7 A 20 V Enrichissement, 6 broches, TSOP-6 SQ3583CEV AEC-Q101

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 ruban de 1 unité)*

0,44 €

HT

0,53 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 26 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Ruban(s)
le ruban
1 - 240,44 €
25 - 990,30 €
100 +0,16 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
736-343
Référence fabricant:
SQ3583CEV-T1_GE3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Canal N, Canal P

Courant continu de Drain maximum Id

4.7A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

TSOP-6

Série

SQ3583CEV

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

0.077Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.67W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Tension directe Vf

1.1V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
DE
Le double transistor MOSFET de Vishay est conçu pour des applications à haute fiabilité. Ce composant utilise la technologie TrenchFET pour fournir une gestion efficace de l'alimentation dans un boîtier TSOP-6 compact.

Qualifié pour une utilisation automobile conformément aux normes AEC-Q101

Testé à 100 % Rg et UIS pour garantir des performances robustes

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.