MOSFETs simples canal N onsemi 220 mA 25 V N, 3 broches, SOT-23-3 FDV3
- Code commande RS:
- 765-307
- Référence fabricant:
- FDV301N
- Marque:
- onsemi
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 765-307
- Référence fabricant:
- FDV301N
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 220mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Type de Boitier | SOT-23-3 | |
| Série | FDV3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9Ω | |
| Mode de canal | N | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.49nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.35W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 220mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Type de Boitier SOT-23-3 | ||
Série FDV3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9Ω | ||
Mode de canal N | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.49nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.35W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.9mm | ||
Largeur 1.3mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor à effet de champ en mode d'amélioration du niveau logique canal N d'Onsemi est conçu pour les applications basse tension. Ce dispositif avancé utilise la technologie DMOS G S propriétaire pour atteindre une résistance à l'état passant minimale, ce qui en fait un choix idéal pour remplacer plusieurs transistors numériques. Il élimine le besoin de résistances de polarisation, simplifiant la conception des circuits en offrant une solution FET unique pour diverses applications numériques, améliorant ainsi l'efficacité et la fiabilité des dispositifs électroniques.
Prend en charge un courant de drainage continu de 0,22 A avec une crête de 0,5 A
Offre un faible R DS(on) de seulement 4 Ohms à 4,5 V, garantissant une gestion efficace de la puissance
Conçu pour un fonctionnement direct dans les circuits 3 V, permettant une intégration parfaite dans les systèmes basse tension
Capable de remplacer plusieurs transistors numériques NPN, ce qui simplifie le nombre de composants dans les conceptions
Conforme aux normes sans plomb et sans halure, pour des conceptions respectueuses de l'environnement
La résistance thermique de 357 °C/W garantit des performances fiables dans des conditions de température variables
La tension nominale maximale drain-source de 25 V offre une fonctionnalité robuste dans diverses applications
La plage de tension de seuil de la grille garantit des performances constantes sur l'ensemble du spectre de fonctionnement
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