MOSFET canal N onsemi 220 mA 50 V, 3 broches, SOT-23-3 BSS
- Code commande RS:
- 838-663
- Référence fabricant:
- BSS138-G
- Marque:
- onsemi
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 500 de plus pour économiser 19%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 50 unités)*
7,00 €
HT
8,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 12 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* | Économie |
|---|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,14 € | 7,00 € | - |
| 500 - 2450 | 0,113 € | 5,65 € | 19% |
| 2500 - 4950 | 0,087 € | 4,35 € | 37% |
| 5000 + | 0,068 € | 3,40 € | 51% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 838-663
- Référence fabricant:
- BSS138-G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 220mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 50V | |
| Série | BSS | |
| Type de Boitier | SOT-23-3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6Ω | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.36W | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 220mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 50V | ||
Série BSS | ||
Type de Boitier SOT-23-3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6Ω | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.36W | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 2.9mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Largeur 1.3mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor à effet de champ en mode d'amélioration à canal N d'Onsemi est conçu pour des performances efficaces dans les applications basse tension. Il offre des capacités de commutation fiables et une résistance à l'état passant minimale pour une grande variété d'utilisations électroniques.
Prend en charge un courant de drain continu de 0,22 A et un courant de drain pulsé de 0,88 A
Affiche une faible résistance à l'état passant de 3,5 Ω à une tension de grille de 10 V
Fonctionne efficacement dans une plage de températures comprise entre -55 °C et +150 °C
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 220 mA 50 V Enrichissement SOT-23 BSS138 AEC-Q101 AEC-Q100
- MOSFETs simples canal N onsemi 220 mA 25 V N SOT-23-3 FDV3
- MOSFET canal N Infineon 540 mA 55 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 300 mA 60 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 100 mA 250 V Épuisement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 170 mA 100 V Épuisement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N onsemi 220 mA 50 V Enrichissement SOT-23 BSS138K AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 2.30 A 30 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101