MOSFET N Infineon 0.3 A 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0548
- Référence fabricant:
- BSS159NH6906XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
522,00 €
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TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,174 € | 522,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0548
- Référence fabricant:
- BSS159NH6906XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 0.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | BSS | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 0.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série BSS | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
L'Infineon produit un transistor MOSFET à petit signal à mode d'épuisement de canal N largement utilisé dans les applications à haute commutation. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène. Il s'agit d'un transistor à petit signal SIPMOS. Il est doté d'une valeur nominale dv/dt, disponible avec indicateur V GS(th) sur la bobine. Il est 100 % sans plomb; Ne contient pas d'halogène.
VDS est de 60 V, RDS(on), max. 8 Ω et IDSS, min. est de 0,13 A
Dissipation de puissance maximale est de 360 mW
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