MOSFET Infineon canal N, SOT-23 300 mA 60 V, 3 broches

L'Infineon produit un transistor MOSFET à petit signal à mode d'épuisement de canal N largement utilisé dans les applications à haute commutation. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène. Il s'agit d'un transistor à petit signal SIPMOS. Il est doté d'une valeur nominale dv/dt, disponible avec indicateur V GS(th) sur la bobine. Il est 100 % sans plomb

VDS est de 60 V, RDS(on), max. 8 Ω et IDSS, min. est de 0,13 A
Dissipation de puissance maximale est de 360 mW