MOSFET canal N Infineon 280 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-323 BSS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0542
- Référence fabricant:
- BSS138WH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0542
- Référence fabricant:
- BSS138WH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 280mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-323 | |
| Série | BSS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6000mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 280mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-323 | ||
Série BSS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6000mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
L'Infineon fabrique un transistor SIPMOS à petit signal, canal N, en mode d'amélioration. Le dispositif est doté d'une valeur nominale dv/dt et d'un placage au plomb sans plomb. Il est doté d'une Vds de 60 V, d'un Rds(on)max de 3,5 Ω et d'un Id de 0,28 A. Il s'agit d'un transistor à mode d'amélioration à canal P sans halogène largement utilisé dans les applications à commutation élevée. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène.
100 % sans plomb
Puissance de dissipation maximale de 360 mW
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