MOSFET Infineon canal N, SOT-323 280 mA 60 V, 3 broches

L'Infineon fabrique un transistor SIPMOS à petit signal, canal N, en mode d'amélioration. Le dispositif est doté d'une valeur nominale dv/dt et d'un placage au plomb sans plomb. Il est doté d'une Vds de 60 V, d'un Rds(on)max de 3,5 Ω et d'un Id de 0,28 A. Il s'agit d'un transistor à mode d'amélioration à canal P sans halogène largement utilisé dans les applications à commutation élevée. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène.

100 % sans plomb
Puissance de dissipation maximale de 360 mW