MOSFET P Infineon 630 mA -20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-323 BSS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0554
- Référence fabricant:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
3,12 €
HT
3,74 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 7 070 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,312 € | 3,12 € |
| 100 - 490 | 0,295 € | 2,95 € |
| 500 - 990 | 0,186 € | 1,86 € |
| 1000 - 2490 | 0,169 € | 1,69 € |
| 2500 + | 0,143 € | 1,43 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0554
- Référence fabricant:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 630mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -20V | |
| Type de Boitier | SOT-323 | |
| Série | BSS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 550mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 630mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds -20V | ||
Type de Boitier SOT-323 | ||
Série BSS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 550mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
L'Infineon fabrique un transistor à canal P avec mode d'amélioration largement utilisé dans les applications à haute commutation. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène. Ce dispositif est un transistor à petit signal OptiMOS-P avec un niveau de super logique de 2,5 V (nominal). La température d'utilisation est de 150 °C. Il est homologué Avalanche et dv/dt. Il est sans plomb avec placage de plomb, sans halogène.
VDS est de -20 V, RDS(on), max. 550 mΩ et Id est de -0,63 A
Dissipation de puissance maximale est de 500 mW
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Infineon 0.28 A 40 V Enrichissement SOT-323 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 0.28 A 40 V Enrichissement SOT-323 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N ROHM 310 mA 60 V Enrichissement SOT-323 BSS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 0.15 A 30 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 0.23 A 30 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 0.09 A 600 V Enrichissement SOT-89 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 0.54 A 55 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 0.3 A 60 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101