MOSFET P Infineon 1.50 A -30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0558
- Référence fabricant:
- BSS315PH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
2,83 €
HT
3,40 €
TTC
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,283 € | 2,83 € |
| 100 - 240 | 0,269 € | 2,69 € |
| 250 - 490 | 0,184 € | 1,84 € |
| 500 - 990 | 0,17 € | 1,70 € |
| 1000 + | 0,127 € | 1,27 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0558
- Référence fabricant:
- BSS315PH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.50A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -30V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | BSS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 270mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.50A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -30V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série BSS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 270mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET Infineon série BSS, tension drain-source maximale de 30 V, dissipation de puissance de 81 W - BSS315PH6327XTSA1
Ce transistor à canal P est conçu pour les tâches de commutation et de contrôle de charge compactes à montage en surface dans des environnements exigeant une large tolérance aux températures et une qualification de qualité automobile. Il fonctionne comme un dispositif en mode d'amélioration dans un boîtier SOT-23 pour l'assemblage de circuits imprimés et est adapté aux circuits nécessitant un courant de drain continu modéré et une commande de grille définie.
Caractéristiques et avantages :
• La faible résistance à l'état passant de 270 mΩ réduit les pertes de conduction
• Le courant de drain continu de 1,50 A prend en charge des charges stables
• Performances de seuil de grille avec charge typique de 80 nC pour une commutation prévisible
• Résiste à des tensions de grille jusqu'à 20 V pour des options d'entraînement flexibles
• Conçu pour dissiper 81 W pour gérer les événements de puissance transitoire
• Le courant de drain continu de 1,50 A prend en charge des charges stables
• Performances de seuil de grille avec charge typique de 80 nC pour une commutation prévisible
• Résiste à des tensions de grille jusqu'à 20 V pour des options d'entraînement flexibles
• Conçu pour dissiper 81 W pour gérer les événements de puissance transitoire
Applications
• Utilisé pour la commutation de protection de batterie dans l'électronique automobile
• Convient aux petits modules de gestion de l'alimentation c.c.
• Idéal pour la commutation de charge à montage en surface sur les circuits imprimés compacts
• Peut être utilisé pour les fonctions de commutation à polarité inversée ou côté haut
• Convient aux petits modules de gestion de l'alimentation c.c.
• Idéal pour la commutation de charge à montage en surface sur les circuits imprimés compacts
• Peut être utilisé pour les fonctions de commutation à polarité inversée ou côté haut
Dans quelle plage de températures peut-il fonctionner ?
Il fonctionne sur une plage de fonctionnement de -55 °C à +150 °C.
Quel type de boîtier et de montage utilise-t-il?
Il est fourni dans un boîtier SOT-23 destiné au montage en surface.
Quelles sont les normes ou homologations auxquelles il est conforme pour les substances réglementées?
Il est conforme aux exigences RoHS.
Quelle est la tension maximale qu'il peut bloquer entre le drain et la source?
La tension nominale maximale drain-source est de -30 V.
Est-il adapté aux niveaux de qualification automobiles?
Il est conforme à la norme automobile AEC-Q101.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Infineon 0.15 A 30 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 0.23 A 30 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 0.54 A 55 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 0.3 A 60 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 0.9 A 100 V Épuisement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 0.28 A 40 V Enrichissement SOT-323 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 0.1 A 250 V Épuisement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 0.09 A 600 V Enrichissement SOT-89 BSS AEC-Q101
