MOSFET P Infineon 0.15 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS AEC-Q101

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

2,83 €

HT

3,40 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 7 740 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 900,283 €2,83 €
100 - 2400,269 €2,69 €
250 - 4900,184 €1,84 €
500 - 9900,17 €1,70 €
1000 +0,127 €1,27 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
250-0558
Référence fabricant:
BSS315PH6327XTSA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

0.15A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SOT-23

Série

BSS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

L'Infineon fabrique un transistor à canal P avec mode d'amélioration largement utilisé dans les applications à haute commutation. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène. Transistor à petit signal OptiMOS P 2. Niveau logique 4,5 V, testé Avalanche.

Le niveau logique est de 4,5 V

100 % sans plomb et sans halogène

La dissipation de puissance maximale est de 500 mW

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.