MOSFET N Infineon 0.1 A 250 V Épuisement, 3 broches, SOT-23 BSS AEC-Q101

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
250-0544
Numéro d'article Distrelec:
304-40-498
Référence fabricant:
BSS139H6327XTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

0.1A

Tension Drain Source maximum Vds

250V

Type de Boitier

SOT-23

Série

BSS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.5mΩ

Mode de canal

Épuisement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Tension directe Vf

1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor à petit signal SIPMOS d'Infineon est un transistor MOSFET à petit signal à mode d'épuisement de canal N largement utilisé dans les applications à commutation élevée. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène. Il est doté d'une valeur nominale dv/dt. Il est disponible avec indicateur VGS(th) sur bobine. Il est halogène et est doté d'un placage au plomb sans plomb.

Placage de câble sans plomb

Puissance de dissipation maximale de 360 mW

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