MOSFET canal N Infineon 21 mA 600 V Épuisement, 3 broches, SOT-23 SIPMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
911-4971
Référence fabricant:
BSS126H6327XTSA2
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

21mA

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

SOT-23

Série

SIPMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

700Ω

Mode de canal

Épuisement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.4nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

500mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.3mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1mm

Longueur

2.9mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
DE

Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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