MOSFET canal N Infineon 120 mA 600 V Épuisement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
354-5708
Numéro d'article Distrelec:
302-83-876
Référence fabricant:
BSP135H6327XTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120mA

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

SOT-223

Série

SIPMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

45Ω

Mode de canal

Épuisement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3.7nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.8W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.6mm

Longueur

6.5mm

Normes/homologations

No

Largeur

3.5mm

Standard automobile

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 120 mA Maximum Continuous Drain Current, 1,8W Maximum Power Dissipation - BSP135H6327XTSA1


Ce MOSFET est destiné à des applications de commutation efficaces. Il est connu pour ses capacités de traitement des tensions élevées et sa faible consommation d'énergie. En tant que MOSFET à mode d'appauvrissement à canal unique N, il est bien adapté à diverses applications électroniques qui nécessitent des solutions de montage en surface compactes. Avec une tension drain-source maximale de 600V, il s'agit d'un choix approprié pour les secteurs de l'automobile et de la gestion de l'énergie qui privilégient l'efficacité et la fiabilité.

Caractéristiques et avantages


• Utilise la technologie SIPMOS® pour une meilleure efficacité

• Prend en charge les capacités de haute tension jusqu'à 600V pour une fiabilité opérationnelle

• La faible consommation d'énergie (120 mA) améliore l'efficacité énergétique

• Conçue pour les applications de montage en surface, elle offre des avantages en termes d'encombrement

• Protection contre les décharges électrostatiques de 1A pour protéger les circuits sensibles

• Qualification automobile selon AEC-Q101, conforme aux normes industrielles

Applications


• Convient aux solutions de gestion de l'énergie dans les appareils électroniques

• Utilisé en basse tension avec des capacités de haute tension

• Intégration dans l'emballage pour une gestion thermique efficace

• Utilisé dans les circuits de contrôle qui nécessitent des composants robustes

Quelles sont les implications des valeurs de résistance thermique pour la performance ?


La résistance thermique indique l'efficacité de la dissipation de la chaleur de l'appareil, garantissant qu'il fonctionne dans des limites sûres lors d'une utilisation continue. Des valeurs de résistance thermique plus faibles peuvent améliorer les performances en améliorant la gestion de la chaleur, en particulier dans les applications à courant élevé.

Ce MOSFET peut-il supporter des applications de commutation à haute fréquence ?


En effet, il présente des caractéristiques de faible charge de grille, permettant un fonctionnement efficace dans des environnements à haute fréquence, ce qui le rend adapté à une variété d'applications électroniques modernes.

Quels sont les éléments à prendre en compte pour l'installation et la compatibilité ?


Il est important de confirmer que le type de montage s'aligne sur la conception du circuit imprimé afin d'optimiser les performances et d'éviter d'éventuels problèmes de gestion thermique ou de connectivité.

Quel est l'impact de la dissipation maximale de puissance sur son application ?


Avec une dissipation de puissance maximale de 1,8 W, il est essentiel de veiller à ce que l'utilisation ne dépasse pas cette limite afin d'éviter une surchauffe et une défaillance potentielle. Une gestion thermique appropriée est cruciale dans la conception.

Quelles sont les limitations concernant la tension de source de grille ?


La tension porte-source peut varier de -20V à +20V, ce qui doit être respecté afin de maintenir un fonctionnement efficace sans endommager l'appareil ou compromettre les performances.

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