MOSFET canal N Infineon 170 mA 400 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 165-5810
- Référence fabricant:
- BSP324H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 1000 unités)*
350,00 €
HT
420,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 04 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,35 € | 350,00 € |
| 2000 - 2000 | 0,332 € | 332,00 € |
| 3000 + | 0,311 € | 311,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-5810
- Référence fabricant:
- BSP324H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 170mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 400V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | SIPMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 25Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.8W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.54nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20, +20V | |
| Tension directe Vf | 0.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 3.5mm | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 170mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 400V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série SIPMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 25Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.8W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.54nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V | ||
Tension directe Vf 0.8V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 3.5mm | ||
Longueur 6.5mm | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET Infineon série SIPMOS, tension de source de drain maximale de 400 V, dissipation de puissance maximale de 1,8 W - BSP324H6327XTSA1
Ce MOSFET est un transistor à canal N haute tension conçu pour la commutation de puissance à montage en surface dans des environnements exigeants. Il sert d'élément de commutation ou de commande dans les circuits qui nécessitent un dispositif en mode d'amélioration capable de gérer des tensions drain-source importantes et une qualification au niveau automobile. Le dispositif est présenté dans un boîtier SOT-223 compact adapté aux applications montées sur carte où les performances thermiques et électriques doivent être équilibrées.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale drain-source de 400 V permet des applications de commutation haute tension
• La valeur Rds(on) maximale de 25 Ω réduit les pertes de conduction dans les circuits à faible courant
• Le courant de drain continu de 170 mA prend en charge les tâches d'alimentation à faible signal
• La dissipation de puissance maximale de 1,8 W permet de gérer des charges thermiques modérées
• La charge de grille typique de 4,54 nC permet des transitions de grille plus rapides avec moins d'énergie d'entraînement
• La tension directe de 0,8 V améliore l'efficacité de la diode dans les événements de commutation
• La valeur Rds(on) maximale de 25 Ω réduit les pertes de conduction dans les circuits à faible courant
• Le courant de drain continu de 170 mA prend en charge les tâches d'alimentation à faible signal
• La dissipation de puissance maximale de 1,8 W permet de gérer des charges thermiques modérées
• La charge de grille typique de 4,54 nC permet des transitions de grille plus rapides avec moins d'énergie d'entraînement
• La tension directe de 0,8 V améliore l'efficacité de la diode dans les événements de commutation
Applications
• Convient aux circuits auxiliaires dans l'électronique automobile
• Idéal pour la commande haute tension dans les réseaux d'alimentation snubber
• Utilisé avec les drivers de grille pour les étapes de commutation à faible courant
• Peut être utilisé pour la protection de charge dans les modules de détection
• Adapté aux assemblages à montage en surface dans les conceptions d'alimentation compactes
• Idéal pour la commande haute tension dans les réseaux d'alimentation snubber
• Utilisé avec les drivers de grille pour les étapes de commutation à faible courant
• Peut être utilisé pour la protection de charge dans les modules de détection
• Adapté aux assemblages à montage en surface dans les conceptions d'alimentation compactes
Dans quelle plage de températures peut-il fonctionner?
Il fonctionne sur une large plage ambiante de -55 °C à 150 °C pour une utilisation dans des installations thermiquement variées.
Combien de broches et quel style de montage sont proposés?
Le dispositif est fourni avec quatre broches et est destiné au montage en surface sur les cartes de circuits imprimés.
Quelles sont les limites de tension de grille à respecter lors de la conception?
L'entraînement de la grille doit être maintenu à ±20 V pour éviter de dépasser la valeur nominale maximale de la source de grille.
À quel encombrement et quelle dimension externe les concepteurs doivent-ils s'attendre?
Le transistor est fourni dans un boîtier SOT-223 avec des dimensions globales de 6,5 x 3,5 x 1,6 mm pour la planification de l'agencement des circuits imprimés.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 170 mA 400 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 120 mA 600 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 350 mA 240 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 660 mA 200 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 2.9 A 60 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 1.7 A 100 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 2.6 A 60 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 430 mA 250 V Enrichissement SOT-223 SIPMOS AEC-Q101