Références fabricant

MOSFET P Infineon 260 mA 250 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101

Code commande RS:: 752-8237
Référence fabricant:: BSP92PH6327XTSA1
Marque:: Infineon

MOSFET P Infineon 260 mA 250 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

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Code commande RS:: 752-8237
Référence fabricant:: BSP92PH6327XTSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	260mA
	Tension Drain Source maximum Vds	250V
	Série	SIPMOS
	Type de Boitier	SOT-223
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	20Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	1.8W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	83V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	4.3nC
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	6.5mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	3.5mm
	Hauteur	1.6mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 260mA
	Tension Drain Source maximum Vds 250V
	Série SIPMOS
	Type de Boitier SOT-223
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 20Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 1.8W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 83V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.3nC
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 6.5mm
	Normes/homologations No
	Largeur 3.5mm
	Hauteur 1.6mm
	Standard automobile AEC-Q101

BSP92P, SIPMOS® Small-Signal-Transistor MOSFET

Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®

Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS^® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.

· Conforme AEC Q101 (veuillez vous référer à la fiche technique)

· Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS

Transistors MOSFET, Infineon

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