MOSFET canal N Infineon 350 mA 240 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 445-2281
- Référence fabricant:
- BSP89H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 50 - 245 | 0,874 € | 4,37 € |
| 250 - 495 | 0,818 € | 4,09 € |
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- Code commande RS:
- 445-2281
- Référence fabricant:
- BSP89H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 350mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 240V | |
| Série | SIPMOS | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.8W | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Largeur | 3.5mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 350mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 240V | ||
Série SIPMOS | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.8W | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.5mm | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Largeur 3.5mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Non conforme RoHS
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 350 mA Maximum Continuous Drain Current, 1,8W Maximum Power Dissipation - BSP89H6327XTSA1
Ce MOSFET est un composant clé pour les applications électroniques à haute tension, offrant des capacités de commutation efficaces. Utilisant la technologie du mode d'enrichissement à canal N, il convient à l'électronique automobile et industrielle, garantissant un fonctionnement efficace dans diverses conditions. Le boîtier SOT-223 permet un montage en surface polyvalent, ce qui le rend approprié pour les conceptions de circuits contemporains.
Caractéristiques et avantages
• Courant de vidange continu maximum de 350mA
• Tension de source élevée de 240V pour une sécurité accrue
• La faible tension de seuil de la grille améliore la sensibilité
• Capacité de dissipation d'énergie jusqu'à 1,8 W
• Idéal pour les applications de niveau logique avec des temps de commutation rapides
Applications
• Gestion de l'énergie dans l'électronique automobile
• Alimentations à découpage à base de MOSFET
• Amplification du signal dans les circuits électroniques
Quelle est la plage de température maximale de fonctionnement ?
Il fonctionne efficacement dans une plage de température allant de -55°C à +150°C, ce qui lui permet de s'adapter à diverses conditions environnementales.
Comment la tension de seuil de la porte affecte-t-elle les performances ?
Une faible tension de seuil de grille permet au MOSFET de s'activer à des tensions d'entrée plus faibles, ce qui améliore l'efficacité des dispositifs fonctionnant sur batterie.
Quel type de fixation est compatible avec cet appareil ?
Ce composant est conçu pour être monté en surface dans un boîtier SOT-223, ce qui facilite son intégration dans les circuits imprimés.
Peut-il gérer des courants de drainage pulsés ?
Oui, il peut gérer des courants de drainage pulsés allant jusqu'à 1,4A, ce qui offre une flexibilité supplémentaire pour les applications de puissance en rafale.
Peut-on l'utiliser avec des microcontrôleurs ?
Oui, sa compatibilité au niveau logique permet une interface directe avec les sorties du microcontrôleur pour un contrôle efficace.
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