MOSFET canal N Infineon 660 mA 200 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101

Code commande RS:: 911-0929
Référence fabricant:: BSP297H6327XTSA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 660 mA 200 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101

Actuellement indisponible

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Code commande RS:: 911-0929
Référence fabricant:: BSP297H6327XTSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	660mA
	Tension Drain Source maximum Vds	200V
	Type de Boitier	SOT-223
	Série	SIPMOS
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.8Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	1.8W
	Tension directe Vf	0.84V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	12.9nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	1.6mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	3.5mm
	Longueur	6.5mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 660mA
	Tension Drain Source maximum Vds 200V
	Type de Boitier SOT-223
	Série SIPMOS
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.8Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 1.8W
	Tension directe Vf 0.84V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 12.9nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 1.6mm
	Normes/homologations No
	Largeur 3.5mm
	Longueur 6.5mm
	Standard automobile AEC-Q101

BSP297 SIPMOS Small Signal Transistor Datasheet

Pays d'origine :: CN

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 660mA Maximum Continuous Drain Current, 1,8W Maximum Power Dissipation - BSP297H6327XTSA1

Ce MOSFET est conçu pour des performances de commutation efficaces dans diverses applications électroniques. Avec un courant de drainage continu maximum de 660mA et une tension de claquage de 200V, il convient à une utilisation dans divers environnements. Son montage en surface simplifie son intégration dans les systèmes automatisés, ce qui le rend applicable dans les secteurs de l'électronique et de l'automobile.

Caractéristiques et avantages

• La configuration à canal N améliore l'efficacité de la commutation

• La faible tension de seuil de la porte assure la compatibilité avec les niveaux logiques

• Les tensions nominales élevées permettent de répondre à une large gamme d'applications

• Les capacités de dissipation d'énergie améliorées permettent une gestion thermique efficace

• La qualification AEC-Q101 est conforme aux normes de l'industrie automobile

• Le boîtier compact SOT-223 permet des conceptions à faible encombrement

Applications

• Utilisé pour la commande de moteurs dans les systèmes automobiles

• Appliquée à la gestion de l'énergie pour l'électronique grand public

• Utilisé dans les systèmes de gestion des batteries pour la régulation de l'énergie

• Utilisé pour l'amplification des signaux dans les dispositifs de communication

• Idéal pour les alimentations à découpage qui améliorent l'efficacité

Quelle est la température maximale de fonctionnement pour une performance optimale ?

Le composant peut fonctionner efficacement à des températures allant jusqu'à +150°C, ce qui garantit sa stabilité dans des conditions de haute température.

Comment le MOSFET doit-il être installé pour obtenir les meilleurs résultats ?

Utilise la technologie de montage en surface pour l'installation sur un circuit imprimé compatible, en assurant une soudure correcte pour maintenir l'intégrité de la connexion.

Quels sont les matériaux utilisés pour fabriquer ce MOSFET ?

Il est fabriqué à partir de silicium (Si), ce qui contribue à ses performances et à sa fiabilité dans le cadre de diverses utilisations.

Peut-il résister à des conditions de tension sévères pendant le fonctionnement ?

Oui, il a une tension de claquage drain-source maximale de 200 V, ce qui le rend adapté aux applications à haute tension.

Comment la charge de la porte affecte-t-elle ses performances ?

La charge totale typique de la grille est de 12,9nC à 10V, ce qui garantit des temps de commutation rapides et une meilleure efficacité du circuit.