MOSFET canal N Infineon 660 mA 200 V Épuisement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 354-5720
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-83-878
- Référence fabricant:
- BSP149H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 354-5720
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-83-878
- Référence fabricant:
- BSP149H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 660mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | SIPMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.8Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.8W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 11nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.6mm | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 3.5mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 660mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série SIPMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.8Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.8W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 11nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.6mm | ||
Longueur 6.5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 3.5mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 660mA Maximum Continuous Drain Current, 1,8W Maximum Power Dissipation - BSP149H6327XTSA1
Ce MOSFET est un composant essentiel conçu pour une gamme d'applications électroniques, offrant des performances efficaces dans un boîtier compact pour montage en surface. Il est bien adapté au contrôle des circuits d'automatisation et s'adresse aux utilisateurs des secteurs de l'électronique, de l'électricité et de la mécanique. La caractéristique du mode de déplétion améliore le contrôle des applications de commutation, ce qui en fait un choix approprié pour les ingénieurs.
Caractéristiques et avantages
• Tension drain-source maximale de 200V pour les applications à haute tension
• Capacité de courant de drainage continu jusqu'à 660mA
• Utilise la technologie SIPMOS pour des performances constantes
• Conforme à la directive RoHS avec placage de plomb sans plomb
• dv/dt pour une meilleure résistance aux variations de tension
Applications
• Driver dans les systèmes d'automatisation
• Alimentations à découpage pour la gestion de l'énergie
• Électronique automobile conforme aux normes AEC-Q101
Quelle est la signification de la caractéristique du mode de déplétion ?
Le mode de déplétion permet un contrôle efficace du MOSFET, ce qui permet une commutation efficace même à des tensions plus faibles, ce qui est bénéfique pour diverses conceptions électroniques.
Comment l'appareil gère-t-il les défis thermiques ?
Il fonctionne dans une large gamme de températures allant de -55°C à +150°C, garantissant des performances fiables même dans des conditions thermiques extrêmes, grâce à ses capacités de gestion thermique efficaces.
Quelles sont les valeurs de tension de seuil de grille pour ce composant ?
La tension de seuil de la grille est comprise entre -2,1V et -1V, ce qui offre des options de commutation polyvalentes pour différents types de circuits.
Quelles sont les implications de la classe ESD ?
La classe ESD 1B indique que la conception peut résister à des niveaux de décharge électrostatique compris entre 500 et 600 V, ce qui renforce la fiabilité de l'appareil dans les applications sensibles.
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