MOSFET canal N Infineon 230 mA 60 V Épuisement, 3 broches, SOT-23 SIPMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
753-2841
Numéro d'article Distrelec:
304-45-304
Référence fabricant:
BSS159NH6327XTSA2
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

230mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-23

Série

SIPMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

8Ω

Mode de canal

Épuisement

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

360mW

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.4nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.3mm

Hauteur

1mm

Normes/homologations

No

Longueur

2.9mm

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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