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MOSFET Infineon canal N, SOT-223 350 mA 240 V, 3 broches

Code commande RS:: 753-2800
Référence fabricant:: BSP129H6327XTSA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, SOT-223 350 mA 240 V, 3 broches

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80 Sous 2 jour(s) (stock Europe)

Prix pour l'unité (par multiple de 5)

0,474 €

0,569 €

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 45	0,474 €	2,37 €
50 - 120	0,422 €	2,11 €
125 - 245	0,392 €	1,96 €
250 - 495	0,364 €	1,82 €
500 +	0,342 €	1,71 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 753-2800
Référence fabricant:: BSP129H6327XTSA1
Marque:: Infineon

Datasheet

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	350 mA
Tension Drain Source maximum	240 V
Type de boîtier	SOT-223
Série	SIPMOS®
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	20 Ω
Mode de canal	Depletion
Tension de seuil maximale de la grille	1V
Tension de seuil minimale de la grille	2.1V
Dissipation de puissance maximum	1.8 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	3.5mm
Charge de Grille type @ Vgs	3,8 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	6.5mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.6mm

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Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®

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