Références fabricant

MOSFET P Infineon 430 mA 250 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101

Code commande RS:: 911-4969
Référence fabricant:: BSP317PH6327XTSA1
Marque:: Infineon

MOSFET P Infineon 430 mA 250 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

340,00 €

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1000 +	0,34 €	340,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 911-4969
Référence fabricant:: BSP317PH6327XTSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	430mA
	Tension Drain Source maximum Vds	250V
	Série	SIPMOS
	Type de Boitier	SOT-223
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	4
	Résistance Drain Source maximum Rds	5Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	11.6nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	1.8W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	6.5mm
	Largeur	3.5mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	1.6mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 430mA
	Tension Drain Source maximum Vds 250V
	Série SIPMOS
	Type de Boitier SOT-223
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 4
	Résistance Drain Source maximum Rds 5Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 11.6nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 1.8W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 6.5mm
	Largeur 3.5mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 1.6mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Pays d'origine :: DE

Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®

Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS^® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.

· Conforme AEC Q101 (veuillez vous référer à la fiche technique)

· Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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