MOSFET P Infineon 1.9 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 SIPMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
167-942
Numéro d'article Distrelec:
304-36-976
Référence fabricant:
BSP171PH6327XTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

1.9A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

SIPMOS

Type de Boitier

SOT-223

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

300mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.8W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

13nC

Tension directe Vf

-1.1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.5mm

Longueur

6.5mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.6mm

Standard automobile

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 1,9A Maximum Continuous Drain Current, 1,8W Maximum Power Dissipation - BSP171PH6327XTSA1


Ce MOSFET est conçu pour des applications de commutation à haute performance, utilisant la technologie du canal P. Grâce à la technologie SIPMOS®, il garantit un fonctionnement fiable dans un boîtier compact SOT-223, ce qui en fait une option appropriée pour les applications automobiles et industrielles. Le courant d'écoulement continu de 1,9 A et la tension maximale de 60 V renforcent l'efficacité de la gestion de l'énergie pour diverses utilisations.

Caractéristiques et avantages


• La configuration du canal P permet de réaliser des applications de commutation à bas niveau

• Le mode d'amélioration favorise l'efficacité des performances

• Le montage en surface permet d'économiser de l'espace sur le circuit imprimé

• Conçu pour des températures élevées allant jusqu'à +150°C, ce qui garantit sa durabilité

• Le faible Rds(on) diminue la perte de puissance lors de la commutation

Applications


• Commutation de charge dans l'électronique automobile

• Circuits de gestion de l'énergie pour l'efficacité énergétique

• Haute fréquence nécessitant une commutation rapide

• Charges d'entraînement dans les appareils électroniques grand public

• Circuits d'alimentation nécessitant des solutions compactes

Quelle est la tension drain-source maximale que ce composant peut supporter ?


Le composant peut supporter une tension drain-source maximale de 60V, ce qui le rend adapté à diverses applications.

Comment ce composant se comporte-t-il à des températures élevées ?


Il fonctionne efficacement à des températures allant jusqu'à +150°C, ce qui lui permet d'être performant dans des environnements exigeants.

Peut-il être utilisé dans des circuits alimentés par des piles ?


En effet, son faible Rds(on) réduit considérablement la perte de puissance, ce qui le rend bien adapté aux appareils fonctionnant sur batterie.

Quelle est la signification de l'indice d'avalanche ?


L'indice d'avalanche indique que l'appareil peut absorber les pointes d'énergie, ce qui améliore sa durabilité et sa fiabilité pendant les transitoires.

Comment puis-je m'assurer que l'installation sur la carte de circuit imprimé est correcte ?


Il est essentiel de respecter les spécifications dimensionnelles du boîtier SOT-223 et de mettre en place une gestion thermique adéquate lors de l'installation.

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