MOSFET P Infineon 330 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 SIPMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 145-8801
- Référence fabricant:
- BSS83PH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,055 € | 165,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,052 € | 156,00 € |
| 15000 + | 0,049 € | 147,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 145-8801
- Référence fabricant:
- BSS83PH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 330mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | SIPMOS | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.38nC | |
| Tension directe Vf | -1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 360mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 330mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série SIPMOS | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.38nC | ||
Tension directe Vf -1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 360mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 2.9mm | ||
Largeur 1.3mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET Infineon série SIPMOS, tension de source de drain maximale de 60 V, résistance de source de drain maximale de 3 Ω - BSS83PH6327XTSA1
Ce MOSFET à canal p est un transistor de commutation à montage en surface conçu pour les fonctions compactes de commande de puissance dans les assemblages électroniques. Il fonctionne comme un dispositif en mode d'amélioration adapté à la commutation à faible courant dans les systèmes qui exigent une large plage de températures de fonctionnement et une compatibilité avec les exigences de qualité automobile.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale drain-source de 60 V permet des applications de commutation à haute tension
• Le Rds maximal de 3 Ω réduit les pertes de conduction pendant l'état activé
• Le courant de drain continu de 330 mA prend en charge la commutation à faible signal
• La charge de grille typique de 2,38 nC permet des transitions de grille plus rapides
• La tension maximale grille-source de 20 V permet des niveaux d'entraînement de grille flexibles
• La qualification AEC-Q101 garantit l'adéquation pour l'électronique automobile
• Le Rds maximal de 3 Ω réduit les pertes de conduction pendant l'état activé
• Le courant de drain continu de 330 mA prend en charge la commutation à faible signal
• La charge de grille typique de 2,38 nC permet des transitions de grille plus rapides
• La tension maximale grille-source de 20 V permet des niveaux d'entraînement de grille flexibles
• La qualification AEC-Q101 garantit l'adéquation pour l'électronique automobile
Applications
• Convient aux circuits de gestion de batterie et de déconnexion de charge
• Idéal pour la commutation de signaux dans les interfaces de capteurs automobiles
• Utilisé avec les régulateurs à faible consommation et les étapes de commutation de rail d'alimentation
• Peut être utilisé pour la protection contre l'inversion de polarité dans les dispositifs compacts
• Convient aux prototypes à montage en surface et aux circuits imprimés denses
• Idéal pour la commutation de signaux dans les interfaces de capteurs automobiles
• Utilisé avec les régulateurs à faible consommation et les étapes de commutation de rail d'alimentation
• Peut être utilisé pour la protection contre l'inversion de polarité dans les dispositifs compacts
• Convient aux prototypes à montage en surface et aux circuits imprimés denses
Quelles sont les extrêmes thermiques que l'appareil peut tolérer dans le monde réel?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans les environnements à démarrage à froid et à haute température sans réduire la fonctionnalité de base.
Comment le boîtier influence-t-il l'assemblage et la disposition au niveau de la carte?
Le boîtier à montage en surface SOT-23 est compact et adapté au placement automatisé, permettant un espacement étroit des composants et une conduction thermique simplifiée vers le circuit imprimé.
À quelle dissipation de puissance les concepteurs doivent-ils s'attendre dans des conditions normales?
Le dispositif est doté d'une dissipation de puissance maximale de 360 mW, qui doit être prise en compte dans les calculs thermiques et la conception de tampon thermique pour éviter la surchauffe.
Comment la charge de grille du composant affecte-t-elle les performances de commutation?
Une charge de grille typique de 2,38 nC minimise l'énergie d'entraînement de grille requise, améliorant la vitesse de commutation et réduisant le courant de driver pour les applications à basse fréquence ou à impulsions.
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