MOSFET canal N Infineon 200 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 SIPMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-4336
- Référence fabricant:
- BSS7728NH6327XTSA2
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
132,00 €
HT
159,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 36 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,044 € | 132,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4336
- Référence fabricant:
- BSS7728NH6327XTSA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 200mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | SIPMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.36W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Hauteur | 1.12mm | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 200mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série SIPMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.36W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 3.04mm | ||
Hauteur 1.12mm | ||
Largeur 1.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Ce MOSFETest à petit signal Infineon SIPMOS est parfaitement adapté pour les applications automobiles et/ou non automobiles à espace limité. Ils peuvent être présents dans presque toutes les applications, par exemple la protection de batterie, le chargement de batterie, l'éclairage à LED, etc.
Il est sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-21
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