MOSFET canal N Infineon 200 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 SIPMOS AEC-Q101

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214-4337
Référence fabricant:
BSS7728NH6327XTSA2
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

SIPMOS

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

0.36W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.4mm

Longueur

3.04mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.12mm

Standard automobile

AEC-Q101

Ce MOSFETest à petit signal Infineon SIPMOS est parfaitement adapté pour les applications automobiles et/ou non automobiles à espace limité. Ils peuvent être présents dans presque toutes les applications, par exemple la protection de batterie, le chargement de batterie, l'éclairage à LED, etc.

Il est sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-21

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