MOSFET canal N Infineon 21 mA 600 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 SIPMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 753-2832
- Référence fabricant:
- BSS127H6327XTSA2
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,287 € | 7,18 € |
| 250 - 600 | 0,198 € | 4,95 € |
| 625 - 1225 | 0,184 € | 4,60 € |
| 1250 - 2475 | 0,172 € | 4,30 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 753-2832
- Référence fabricant:
- BSS127H6327XTSA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 21mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | SIPMOS | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 600Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 820mV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.65nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1mm | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 21mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série SIPMOS | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 600Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 820mV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.65nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1mm | ||
Largeur 1.3mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET Infineon série SIPMOS, tension de source de drain de 600 V, courant de drain continu de 21 mA - BSS127H6327XTSA2
Ce MOSFET est un transistor à canal N haute tension conçu pour la commutation à montage en surface dans les systèmes électroniques compacts. Il fonctionne sur une large plage de températures pour les environnements exigeants et convient aux applications nécessitant un dispositif robuste à faible encombrement avec des caractéristiques d'entraînement de grille contrôlées.
Caractéristiques et avantages :
• La résistance drain-source de 600 V offre une capacité de commutation haute tension
• La charge de grille typique de 0,65 nC permet une commutation plus rapide et à faible perte
• Le RDS(on) maximal de 600 Ω réduit les fuites à l'état inactif dans les circuits haute tension
• Courant de drain continu de 21 mA adapté aux fonctions de contrôle à faible courant
• La dissipation de puissance maximale de 500 mW permet de gérer la charge thermique dans des configurations compactes
• La valeur nominale VGS à 20 V permet la compatibilité avec les tensions de commande de grille courantes
• La charge de grille typique de 0,65 nC permet une commutation plus rapide et à faible perte
• Le RDS(on) maximal de 600 Ω réduit les fuites à l'état inactif dans les circuits haute tension
• Courant de drain continu de 21 mA adapté aux fonctions de contrôle à faible courant
• La dissipation de puissance maximale de 500 mW permet de gérer la charge thermique dans des configurations compactes
• La valeur nominale VGS à 20 V permet la compatibilité avec les tensions de commande de grille courantes
Applications
• Convient aux topologies de conversion de puissance à haute tension
• Idéal pour les capteurs de qualité automobile et les circuits auxiliaires
• Utilisé avec les régulateurs à découpage compacts et les étapes de retour
• Peut être utilisé pour la traduction de signaux de niveau de grille dans les circuits de protection
• Convient aux modules de gestion de l'alimentation à petit facteur de forme
• Idéal pour les capteurs de qualité automobile et les circuits auxiliaires
• Utilisé avec les régulateurs à découpage compacts et les étapes de retour
• Peut être utilisé pour la traduction de signaux de niveau de grille dans les circuits de protection
• Convient aux modules de gestion de l'alimentation à petit facteur de forme
Quel type de boîtier et de montage utilise-t-il pour l'assemblage de circuits imprimés?
Il est fourni dans un boîtier SOT-23 destiné au placement en surface et à la soudure par refusion.
Quelles sont les extrêmes thermiques qu'il peut supporter pendant son fonctionnement?
Le dispositif est spécifié pour fonctionner entre -55 °C et 150 °C, prenant en charge de larges excursions thermiques dans des environnements difficiles.
Combien de connexions électriques sont disponibles pour l'intégration de circuits?
Le composant utilise une configuration à trois broches compatible avec les configurations MOSFET discrètes typiques.
L'appareil est-il qualifié pour les applications automobiles?
Il est conforme à la norme AEC-Q101, ce qui indique qu'il est adapté à une utilisation électronique automobile.
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