MOSFET canal N Infineon 21 mA 600 V Épuisement, 3 broches, SOT-23 SIPMOS®

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Code commande RS:
236-4397
Référence fabricant:
BSS126IXTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

21mA

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Série

SIPMOS®

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

700Ω

Mode de canal

Épuisement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.4nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

0.5W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.4mm

Normes/homologations

No

Longueur

3mm

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

Non

Le MOSFET à mode de déplétion petit signal à canal N 600V d'Infineon est sans plomb, conforme à la directive RoHS et sans halogène selon la norme IEC 61249-2-21. Entièrement qualifié pour les applications industrielles selon le JEDEC. Il possède un niveau de qualification conforme aux normes industrielles.

Fiabilité élevée du système

Respect de l'environnement

Économie d'espace et de coûts pour le CI

dv/dt assigné

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