MOSFET canal N Infineon 200 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 SIPMOS
- Code commande RS:
- 214-4476
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-39-427
- Référence fabricant:
- SN7002NH6327XTSA2
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 200 unités)*
22,60 €
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TTC
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 0,113 € | 22,60 € |
| 400 - 800 | 0,107 € | 21,40 € |
| 1000 - 1800 | 0,103 € | 20,60 € |
| 2000 - 4800 | 0,098 € | 19,60 € |
| 5000 + | 0,091 € | 18,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4476
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-39-427
- Référence fabricant:
- SN7002NH6327XTSA2
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 200mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | SIPMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 60V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.36W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | IEC61249-2-21, AEC Q101 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 200mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série SIPMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 60V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.36W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations IEC61249-2-21, AEC Q101 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série SIPMOS, tension de source de drain de 60 V, résistance de source de drain de 5 Ω - SN7002NH6327XTSA2
Caractéristiques et avantages :
• Rds(on) de 5 Ω permettant une conduction contrôlée à faible courant
• Courant de drain continu de 200 mA pour les charges à faible signal
• Tension directe de 1,2 V prenant en charge une chute de diode prévisible
• Charge de grille typique de 1.5 nC pour des transitions de grille plus rapides
• Dissipation de puissance de 0,36 W pour une charge thermique modérée
Applications
• Idéal pour le routage d'alimentation à faible courant dans l'électronique grand public
• Utilisé avec de petits circuits d'interface moteur-entraînement
• Peut être utilisé pour le décalage de niveau et le multiplexage de signal
• Convient aux tâches de conditionnement des capteurs et d'isolation des signaux
Quel type de boîtier et de montage utilise-t-il pour l'assemblage de circuits imprimés?
Comment fonctionne-t-il à des températures extrêmes dans des environnements difficiles?
Quelles sont les limites de tension de grille et de drain à respecter lors de la conception?
Existe-t-il des normes industrielles en matière de matériaux ou de processus associées au composant?
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