MOSFET N Infineon 0.1 A 250 V Épuisement, 3 broches, SOT-23 BSS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0543
- Référence fabricant:
- BSS139H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,169 € | 507,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,161 € | 483,00 € |
| 9000 + | 0,151 € | 453,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0543
- Référence fabricant:
- BSS139H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 0.1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 250V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | BSS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.5mΩ | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 0.1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 250V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série BSS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.5mΩ | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor à petit signal SIPMOS d'Infineon est un transistor MOSFET à petit signal à mode d'épuisement de canal N largement utilisé dans les applications à commutation élevée. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène. Il est doté d'une valeur nominale dv/dt. Il est disponible avec indicateur VGS(th) sur bobine. Il est halogène et est doté d'un placage au plomb sans plomb.
Placage de câble sans plomb
Puissance de dissipation maximale de 360 mW
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