MOSFET P Infineon 0.9 A 100 V Épuisement, 3 broches, SOT-23 BSS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0550
- Référence fabricant:
- BSS169H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,139 € | 417,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,132 € | 396,00 € |
| 9000 + | 0,124 € | 372,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0550
- Référence fabricant:
- BSS169H6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 0.9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | BSS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.5mΩ | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 0.9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série BSS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.5mΩ | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
L'Infineon produit un transistor MOSFET à petit signal à mode d'épuisement de canal N largement utilisé dans les applications à haute commutation. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène. Il s'agit d'un transistor SIPMOS à petit signal, à valeur nominale dv/dt et disponible avec indicateur V GS(th) sur bobine.
VDS est de 100 V, Rds(on), max. 12 W et IDSS, min. est de 0,09 A
Dissipation de puissance maximale est de 360 mW
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