MOSFET N Infineon 2.30 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0556
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-501
- Référence fabricant:
- BSS306NH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 250-0556
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-501
- Référence fabricant:
- BSS306NH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | BSS | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 57mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série BSS | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 57mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET Infineon série BSS, tension drain-source maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 2,30 A - BSS306NH6327XTSA1
Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N conçu pour la commutation de puissance à montage en surface dans les assemblages compacts. Il fonctionne dans une large plage de températures et convient aux environnements exigeants nécessitant de faibles pertes de conduction et une capacité de commutation modérée. Le boîtier prend en charge le placement automatisé et est compatible avec les approches typiques de gestion thermique au niveau de la carte.
Caractéristiques et avantages :
• Le RDS(on) de 57 mΩ réduit les pertes de conduction pendant la commutation
• La charge de grille typique de 80 nC permet des transitions de commutation contrôlées
• La dissipation de puissance de 81 W permet une gestion élevée de la puissance d'un seul boîtier
• La tolérance de grille de 20 V permet une flexibilité dans le choix de l'entraînement de grille
• La valeur nominale de -55 à +150 °C maintient le fonctionnement à des températures extrêmes
• La charge de grille typique de 80 nC permet des transitions de commutation contrôlées
• La dissipation de puissance de 81 W permet une gestion élevée de la puissance d'un seul boîtier
• La tolérance de grille de 20 V permet une flexibilité dans le choix de l'entraînement de grille
• La valeur nominale de -55 à +150 °C maintient le fonctionnement à des températures extrêmes
Applications
• Convient à la commutation de l'alimentation des capteurs automobiles
• Idéal pour les circuits de gestion de puissance c.c. compacts
• Utilisé avec les drivers de moteur basse tension et les commutateurs de charge
• Peut être utilisé pour la protection des batteries et les modules de distribution
• Adapté à la régulation de l'alimentation électrique montée en surface
• Idéal pour les circuits de gestion de puissance c.c. compacts
• Utilisé avec les drivers de moteur basse tension et les commutateurs de charge
• Peut être utilisé pour la protection des batteries et les modules de distribution
• Adapté à la régulation de l'alimentation électrique montée en surface
Dans quelle plage thermique peut-il fonctionner de manière fiable?
Il est conçu pour fonctionner de -55 °C à +150 °C pour les applications à haute température.
Comment la limitation de la tension de grille affecte-t-elle la sélection de l'entraînement?
La porte peut tolérer jusqu'à 20 V, de sorte que les conceptions de driver ne doivent pas dépasser cette valeur pour éviter la contrainte de la porte.
Quel type de boîtier et de montage utilise-t-il?
Il est fourni dans un boîtier SOT-23 destiné au montage en surface et adapté à l'assemblage de circuits imprimés automatisé.
À quelles performances de conduction peut-on s'attendre pendant la mise sous tension?
Le dispositif présente une résistance drain-source maximale de 57 mΩ, réduisant la chute de tension sous charge.
Est-il adapté aux scénarios de dissipation de puissance régulée?
Il prend en charge une dissipation de puissance maximale de 81 W, ce qui permet une utilisation dans les applications à dispositif unique à puissance modérément élevée.
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