MOSFET N Infineon 2.30 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS AEC-Q101

Code commande RS:: 250-0555
Référence fabricant:: BSS306NH6327XTSA1
Marque:: Infineon

MOSFET N Infineon 2.30 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

183,00 €

219,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

En stock

15 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,061 €	183,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 250-0555
Référence fabricant:: BSS306NH6327XTSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type N
	Courant continu de Drain maximum Id	2.30A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	SOT-23
	Série	BSS
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	57mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	80nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	81W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Tension directe Vf	1V
	Température d'utilisation maximum	+150°C
	Normes/homologations	RoHS
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type N
	Courant continu de Drain maximum Id 2.30A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier SOT-23
	Série BSS
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 57mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 81W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Tension directe Vf 1V
	Température d'utilisation maximum +150°C
	Normes/homologations RoHS
	Standard automobile AEC-Q101

Transistor MOSFET Infineon série BSS, tension drain-source maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 2,30 A - BSS306NH6327XTSA1

Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N conçu pour la commutation de puissance à montage en surface dans les assemblages compacts. Il fonctionne dans une large plage de températures et convient aux environnements exigeants nécessitant de faibles pertes de conduction et une capacité de commutation modérée. Le boîtier prend en charge le placement automatisé et est compatible avec les approches typiques de gestion thermique au niveau de la carte.

Caractéristiques et avantages :

• Le RDS(on) de 57 mΩ réduit les pertes de conduction pendant la commutation
• La charge de grille typique de 80 nC permet des transitions de commutation contrôlées
• La dissipation de puissance de 81 W permet une gestion élevée de la puissance d'un seul boîtier
• La tolérance de grille de 20 V permet une flexibilité dans le choix de l'entraînement de grille
• La valeur nominale de -55 à +150 °C maintient le fonctionnement à des températures extrêmes

Applications

• Convient à la commutation de l'alimentation des capteurs automobiles
• Idéal pour les circuits de gestion de puissance c.c. compacts
• Utilisé avec les drivers de moteur basse tension et les commutateurs de charge
• Peut être utilisé pour la protection des batteries et les modules de distribution
• Adapté à la régulation de l'alimentation électrique montée en surface

Dans quelle plage thermique peut-il fonctionner de manière fiable?

Il est conçu pour fonctionner de -55 °C à +150 °C pour les applications à haute température.

Comment la limitation de la tension de grille affecte-t-elle la sélection de l'entraînement?

La porte peut tolérer jusqu'à 20 V, de sorte que les conceptions de driver ne doivent pas dépasser cette valeur pour éviter la contrainte de la porte.

Quel type de boîtier et de montage utilise-t-il?

Il est fourni dans un boîtier SOT-23 destiné au montage en surface et adapté à l'assemblage de circuits imprimés automatisé.

À quelles performances de conduction peut-on s'attendre pendant la mise sous tension?

Le dispositif présente une résistance drain-source maximale de 57 mΩ, réduisant la chute de tension sous charge.

Est-il adapté aux scénarios de dissipation de puissance régulée?

Il prend en charge une dissipation de puissance maximale de 81 W, ce qui permet une utilisation dans les applications à dispositif unique à puissance modérément élevée.