MOSFET N Infineon 2.30 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0555
- Référence fabricant:
- BSS306NH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
183,00 €
HT
219,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 15 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,061 € | 183,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0555
- Référence fabricant:
- BSS306NH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Série | BSS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 57mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Série BSS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 57mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
L'Infineon produit un transistor MOSFET à petit signal en mode d'amélioration à canal N largement utilisé dans les applications à haute commutation. Elle est homologuée pour les avalanches et sans halogène. Ce dispositif est OptiMOS 2, transistor à petit signal. Niveau logique (nominal 4,5 V) et testé Avalanche. Il est 100 % sans plomb et sans halogène.
Canal N, mode d'amélioration
Niveau logique 4,5 V nominal
Puissance de dissipation maximale de 500 mW
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Infineon 0.23 A 30 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 0.15 A 30 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 0.54 A 55 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 0.3 A 60 V Enrichissement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 0.9 A 100 V Épuisement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 0.28 A 40 V Enrichissement SOT-323 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 0.1 A 250 V Épuisement SOT-23 BSS AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 0.09 A 600 V Enrichissement SOT-89 BSS AEC-Q101