MOSFET canal N Infineon 0.54 A 55 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSS AEC-Q101

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Code commande RS:
250-0559
Référence fabricant:
BSS670S2LH6433XTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

0.54A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Série

BSS

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Tension directe Vf

1V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Infineon fabrique ce convertisseur abaisseur série OptiMOS en mode d'amélioration à canal N. Il est homologué pour les avalanches et sans halogène.

VDS est de 55 V, Rds(on) est de 650 mΩ et Id est de 0,54 A

Sans halogène

La dissipation de puissance maximale est de 360 mW

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