MOSFET P ROHM 40 A -30 V, 8 broches, DFN3333T8LSAB AEC-Q101

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780-657
Référence fabricant:
RH7E04BBJFRATCB
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

Canal P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

-30V

Type de Boitier

DFN3333T8LSAB

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

11.3Ω

Charge de porte typique Qg @ Vgs

65nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

75W

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

3.4mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Hauteur

1.1mm

Longueur

3.4mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le MOSFET de puissance de ROHM offre une commutation à canal P à haute fiabilité pour la gestion avancée de l'alimentation automobile et industrielle. Cet appareil robuste est conçu pour les modules de commande ADAS et de corps, garantissant des performances efficaces dans les environnements à haute température.

Tension drain-source de -30 V

Courant de drainage continu de -40 A

Résistance à l'état passant typique de 7,5 mOhm à -10 V

Puissance dissipée élevée de 75 W

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