MOSFET de puissance canal Canal N STMicroelectronics 6 A 1200 V Mode d'amélioration, 3 broches, H2PAK-2 MDmesh K5
- Code commande RS:
- 814-401
- Référence fabricant:
- ST2H8N120K5AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 - 3000 | 3,072 € | 3 072,00 € |
| 4000 + | 3,06 € | 3 060,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 814-401
- Référence fabricant:
- ST2H8N120K5AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Canal N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | H2PAK-2 | |
| Série | MDmesh K5 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.65Ω | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 165W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 15.55mm | |
| Longueur | 10.98mm | |
| Largeur | 10.98mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier H2PAK-2 | ||
Série MDmesh K5 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.65Ω | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 165W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 15.55mm | ||
Longueur 10.98mm | ||
Largeur 10.98mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics offre des performances haute tension fiables pour les applications exigeantes, garantissant une efficacité et une densité de puissance optimales dans les environnements automobiles.
Qualité automobile, certifié AEC-Q101 pour une fiabilité accrue
Charge de grille ultra-faible et très faible facteur de mérite pour une perte de puissance réduite
Tension drain-source maximale de 1 200 V avec un courant de drain maximal de 6 A
Conçu avec la technologie Advanced MDmesh K5 pour des performances thermiques supérieures
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