MOSFET de puissance N STMicroelectronics 6 A 1200 V Mode d'amélioration, 3 broches, H2PAK-2 STH285N10F8-6AG AEC-Q101
- Code commande RS:
- 800-461
- Référence fabricant:
- STH8N120K5-2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 800-461
- Référence fabricant:
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- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Canal N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | STH285N10F8-6AG | |
| Type de Boitier | H2PAK-2 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.65mΩ | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 14.4nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 165W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 15.8mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Normes/homologations | ECOPACK | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série STH285N10F8-6AG | ||
Type de Boitier H2PAK-2 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.65mΩ | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 14.4nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 165W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 15.8mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Normes/homologations ECOPACK | ||
Largeur 4.7mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics est conçu à l'aide de la technologie MDmesh K5 basée sur une structure verticale propriétaire innovante. Le résultat est une réduction spectaculaire de la résistance sous tension et une charge de grille ultra-faible pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un haut rendement.
Certifié AEC-Q101
RDS(on) x zone la plus faible de l'industrie
Meilleur FoM (figure de mérite) de l'industrie
Charge de grille ultra-faible
100 % testé contre les avalanches
Protégé par Zener
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