MOSFET de puissance N STMicroelectronics 58 A 650 V Mode d'amélioration, 4 broches, PG-TO-247 STH285N10F8-6AG
- Code commande RS:
- 800-466
- Référence fabricant:
- STW65N040M9-4
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 800-466
- Référence fabricant:
- STW65N040M9-4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | Canal N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 58A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-TO-247 | |
| Série | STH285N10F8-6AG | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 37mΩ | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 110nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 321W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.1mm | |
| Normes/homologations | ECOPACK | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal Canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 58A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-TO-247 | ||
Série STH285N10F8-6AG | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 37mΩ | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 110nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 321W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.1mm | ||
Normes/homologations ECOPACK | ||
Longueur 15.9mm | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics est basé sur la technologie MDmesh M9 à superjonction la plus innovante, adaptée aux transistor MOSFET à moyenne/haute tension avec un RDS(on) très faible par zone.
Très faible FOM (RDS(on)·Qg)
Capacité dv/dt plus élevée
Excellentes performances de commutation
Manipulation facile
100 % testé contre les avalanches
Excellentes performances de commutation grâce à la broche source d'entraînement supplémentaire
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