Transistor MOSFET onsemi canal N, TO247-4 58 A 1200 V, 4 broches

Code commande RS:: 202-5738
Référence fabricant:: NVH4L040N120SC1
Marque:: onsemi

Transistor MOSFET onsemi canal N, TO247-4 58 A 1200 V, 4 broches

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Prix pour l'unité (par multiple de 2)

24,845 €

29,814 €

Unité	Prix par unité	le paquet*
2 - 8	24,845 €	49,69 €
10 - 24	22,905 €	45,81 €
26 - 48	22,215 €	44,43 €
50 - 98	21,54 €	43,08 €
100 +	19,33 €	38,66 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 202-5738
Référence fabricant:: NVH4L040N120SC1
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet - NVH4L040N120SC1

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC), canal N - EliteSiC, 40 mohm, 1 200 V, M1, transistor MOSFET en carbure de silicium TO247−4L, canal N, 1 200 V, 40 mohm, TO247-4L

Le transistor MOSFET on Semiconductor Silicon Carbide Power fonctionne avec 58 A et 1 200 V. Il peut être utilisé dans les applications de chargeur intégré automobile, de convertisseur c.c. ou c.c.

Certifié AEC Q101
Processus d'approbation de pièce de production capable
Testé à 100 % en avalanche
Faible capacité de sortie effective

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	58 A
Tension Drain Source maximum	1200 V
Type de boîtier	TO247-4
Série	NVH
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	0,056 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4.3V
Matériau du transistor	SiC
Nombre d'éléments par circuit	1