MOSFET canal N onsemi 84 A 1200 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 NTH
- Code commande RS:
- 202-5697
- Référence fabricant:
- NTH4L020N120SC1
- Marque:
- onsemi
Informations sur le stock actuellement non accessibles
- Code commande RS:
- 202-5697
- Référence fabricant:
- NTH4L020N120SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 84A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | NTH | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 28mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 510W | |
| Tension directe Vf | 3.7V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 220nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 18.62mm | |
| Hauteur | 15.2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 84A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série NTH | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 28mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 510W | ||
Tension directe Vf 3.7V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 220nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 18.62mm | ||
Hauteur 15.2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 20 mohm, 1 200 V, M1, transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) TO-247-4L - EliteSiC, 20 mohm, 1 200 V, M1, TO-247-4L
Le transistor MOSFET on Semiconductor Silicon Carbide Power fonctionne avec 102 A et 1 200 V. Il peut être utilisé dans l'alimentation sans interruption, le convertisseur c.c./c.c., l'inverseur de boost.
Drain 20 mO à la source sur résistance
Très faible charge de grille
Testé à 100 % en avalanche
Sans plomb
Conforme à la directive RoHS
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