MOSFET et Diode canal N onsemi 31 A 1.2 kV Enrichissement, 3 broches, TO-247 NTH
- Code commande RS:
- 205-2501
- Référence fabricant:
- NTHL080N120SC1A
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 205-2501
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- NTHL080N120SC1A
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 31A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | NTH | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 56nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 178W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Tension directe Vf | 4V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 39.75mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 15.37mm | |
| Hauteur | 4.48mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 31A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série NTH | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 56nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 178W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Tension directe Vf 4V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 39.75mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 15.37mm | ||
Hauteur 4.48mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 80 mohm, 1 200 V, M1, transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) TO-247-3L - EliteSiC, 80 mohm, 1 200 V, M1, TO-247-3L
Le transistor MOSFET 1 200 V à canal N SiC série NTH on Semiconductor utilise une technologie entièrement nouvelle qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état passant et la taille de puce compacte garantissent une faible capacité et une faible charge de grille. Par conséquent, les avantages du système incluent un rendement plus élevé, une fréquence de fonctionnement faster, une plus grande densité de puissance, une réduction des IEM et une réduction de la taille du système.
La valeur nominale de courant de drain continu est de 31 A.
La résistance nominale de drain à source est de 110 Mohm
Commutation haute vitesse et faible capacité
Testé à 100 % UIL
Faible capacité de sortie effective
Le type de boîtier est TO-247-3LD
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