Transistor MOSFET onsemi canal N, TO247-4 58 A 1200 V, 4 broches

Code commande RS:: 202-5698
Référence fabricant:: NTH4L040N120SC1
Marque:: onsemi

Transistor MOSFET onsemi canal N, TO247-4 58 A 1200 V, 4 broches

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12,598 €

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Code commande RS:: 202-5698
Référence fabricant:: NTH4L040N120SC1
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet - NTH4L040N120SC1

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1 200 V, M1, transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) TO-247-4L - EliteSiC, 40 mohm, 1 200 V, M1, TO-247-4L

Le transistor MOSFET on Semiconductor Silicon Carbide Power fonctionne avec 29 A et 1 200 V. Il peut être utilisé dans l'alimentation sans interruption, l'inverseur de boost, l'entraînement de moteur industriel, le chargeur PV.

Drain de 40 mO à la source sur résistance
Très faible charge de grille
Testé à 100 % en avalanche
Sans plomb
Conforme à la directive RoHS

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	58 A
Tension Drain Source maximum	1200 V
Type de boîtier	TO247-4
Série	NTH
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	0,056 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4.3V
Matériau du transistor	SiC
Nombre d'éléments par circuit	1