MOSFET onsemi canal N, TO-247-4L 47 A 650 V, 4 broches
- Code commande RS:
- 248-5816
- Référence fabricant:
- NTH4L060N065SC1
- Marque:
- onsemi
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| 5 - 9 | 9,35 € |
| 10 - 14 | 8,91 € |
| 15 + | 8,46 € |
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- NTH4L060N065SC1
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- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
Le transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) d'ON Semiconductor est un transistor MOSFET à canal N avec une tension de drain à la source de 650 V et une dissipation de puissance de 176 W, boîtier TO247-4L, ce dispositif est sans halogène et conforme à la directive RoHS avec exemption 7a, sans plomb 2LI.
Charge de grille ultra-faible 74 nC
Faible capacité 133 pF
100 % testé par avalanche
Température 175 °C
RDS(on) 44 mohm
Faible capacité 133 pF
100 % testé par avalanche
Température 175 °C
RDS(on) 44 mohm
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 47 A |
| Tension Drain Source maximum | 650 V |
| Type de boîtier | TO-247-4L |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 4 |
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