MOSFET onsemi canal N, TO-247 66 A 650 V

MOSFET en carbure de silicium canal N 650 V, 42 mΩ semi-conducteur ON. MOSFET en carbure de silicium (SiC) fait appel à une toute nouvelle technologie qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état ON et la taille compacte du circuit garantissent une capacité et charge de grille faibles. Par conséquent, les avantages du système incluent un rendement élevé, une fréquence d'utilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des IEM et une taille réduite du système.

Température de jonction élevée
Commutation haute vitesse et faible capacité
RDS(on) max. = 50 mΩ à Vgs = 18 V, Id = 66 A