MOSFET onsemi canal N, TO-247 99 A 650 V, 3 broches

Le transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) d'ON Semiconductor est un transistor MOSFET à canal N avec une tension de drain à la source de 650 V et une dissipation de puissance de 348 W, boîtier TO247-3L, ce dispositif est sans halogène et conforme à la directive RoHS avec exemption 7a, sans plomb 2LI.

Charge de grille ultra-faible 164 nC
Faible capacité 278 pF
100 % testé par avalanche
Température 175 °C
RDS(on) 19 mohm