MOSFET onsemi canal N, TO247-4L 99 A 650 V

La série NTH d'ON Semiconductor de MOSFET en carbure de silicium utilise une technologie entièrement nouvelle qui fournit des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium. En outre, avec une faible résistance à l'état passant et une taille de circuit compacte. Il garantit une faible capacité et une charge de grille. Par conséquent, les avantages du système incluent le plus haut rendement, une fréquence d'utilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des IEM et une réduction de la taille du système.

Utilisé dans les télécommunications, charge de grille ultra-faible, commutation rapide et faible capacité